Statistische Auswertung von 571 GaAs-Quantenpunktkontakt-Transistoren, die die 0,7-Anomalie in der quantisierten Leitfähigkeit unter Verwendung von Millikelvin-Kryogenik-On-Chip-Multiplexing zeigen

Unsere Ergebnisse unterstützen weitgehend das van-Hove-Modell mit kurzreichweitigen Wechselwirkungen. Die stärkste Unterdrückung der Transkonduktan wird vom Verhältnis der Sattelpunktpotenzialkrümmungen Ey/Ex bestimmt. Die Geometrie des Bauelements kann Ey, aber nicht Ex beeinflussen.