Kernekoncepter
테라헤르츠 주파수 대역에서 재구성 가능한 지능형 표면의 하드웨어 설계 및 신호 처리 과제를 다루며, 이를 통해 비용 및 에너지 효율적인 방식으로 실제 시나리오에 적용할 수 있는 솔루션을 제시하고자 한다.
Resumé
이 논문은 6세대(6G) 네트워크를 위한 혁명적인 기술인 테라헤르츠 주파수 대역 무선 통신에 대해 다룬다. 그러나 이러한 주파수 대역에서는 커버리지와 장치 설계 과제가 존재하므로, 이를 효과적으로 극복하기 위한 방안이 필요하다. 이를 위해 재구성 가능한 지능형 표면(RIS) 기술이 주목받고 있다.
논문에서는 먼저 RIS 기반 실외 및 실내 테라헤르츠 통신 사용 사례를 소개한다. 실외의 경우 RIS를 활용하여 음영 지역의 커버리지를 개선할 수 있고, 실내의 경우 공장 환경에서 로봇 및 드론 간 고속 연결성을 제공할 수 있다. 이어서 140GHz 주파수에서 100m 거리의 무선 링크를 위해 필요한 RIS aperture 크기를 계산하여 제시한다.
다음으로 RIS 하드웨어 설계 및 신호 처리 과제를 다룬다. 하드웨어 측면에서는 테라헤르츠 대역에서 동작할 수 있는 저비용 재구성 가능 기술 개발이 필요하며, 대규모 RIS 구현을 위한 방안이 요구된다. 신호 처리 측면에서는 대규모 채널 행렬 추정, 저지연 RIS 제어 프로토콜, 계층적 RIS 빔 코드북 등의 과제가 있다. 또한 증폭 기능이나 신호 감지 기능을 갖는 다기능 RIS에 대한 연구도 필요하다.
Statistik
140GHz 주파수, 100m 거리에서 필요한 RIS aperture 크기는 110mm, 이에 해당하는 unit element 수는 10,540개이다.
2비트 위상 양자화 RIS의 최대 이득은 약 46dBi이다.
140GHz에서 θout = 45°의 경우 빔 스퀴트로 인한 3dB 대역폭은 4.2GHz(3%)이며, θout = 60°의 경우 2.4GHz(1.7%)이다.
Citater
"RISs, with their dynamic reflection capabilities, offer a cost-effective and power-efficient solution to this problem."
"THz communications, with the support of RISs, can be pivotal in enabling such dense communications environments."
"45 nm Radio-Frequency Silicon-On-Insulator (RF-SOI) CMOS technology is available on high resistivity substrates (resistivity of about few kΩ×cm), which is expected to enable the integration, at affordable costs, of antenna elements (and unit cells) and low-loss CMOS-based switches with Ron (on resistance) and Coff (off capacitance) properties suitable for operation up to at least 300 GHz."