מושגי ליבה
電位可以顯著影響單層 1T′-MoS2 上 Cu 原子的遷移和聚集,促進在負電位下形成立體單簇 Cu (SC-Cu)。
本研究使用機器學習方法開發了一個新的顯式電位機器學習力場 (EEP-MLFF) 模型,用於模擬電化學條件下材料的結構演變。該模型將電位作為一個顯式輸入參數整合到原子神經網路中,能夠在任意電位下評估原子核力,從而促進在特定電位下的分子動力學模擬。
研究人員將 EEP-MLFF 模型應用於 Cu/1T′-MoS2 系統,通過恆電位分子動力學模擬揭示了電位如何調節 Cu 原子的遷移和聚集。模擬結果顯示,在低於 -0.1 V 的電位下,Cu 原子會形成小的立體 Cu 簇(單簇,SCs)。通過電子結構分析,闡明了吸附 Cu 原子的形態轉變,表明 Cu-S 和 Cu-Cu 鍵都可以通過施加的電位進行有效調節。
使用從頭算分子動力學 (AIMD) 模擬生成訓練和測試集的結構數據,包括不同數量的 Cu 原子吸附在 1T′-MoS2 表面,並引入不同的電荷量來模擬不同的電位條件。
使用隱式溶劑模型 VASPsol 來模擬溶劑環境和系統的整體電荷中性。
採用元動力學模擬來生成捕獲 Cu 原子遷移的軌跡,其中 Cu 原子的配位數作為集體變量。
使用平滑 SO(3) 功率譜分量作為結構描述符,並將電位 U 作為一個額外的描述符,構建 EEP-MLFF 模型。
使用 PyXtal FF 軟件包實現機器學習模型,並修改其與 LAMMPS 軟件包的接口,以進行恆電位機器學習分子動力學 (CP-MLMD) 模擬。