מושגי ליבה
本文介紹了一款名為 aRD820 的新型低功耗軌到軌運算放大器的設計、開發和評估,該放大器旨在作為行業標準 AD820 的經濟型替代品,並展示了其在多項關鍵性能指標上與 AD820 相當或更優的表現。
תקציר
aRD820 運算放大器:設計、性能與 AD820 之比較
本研究論文深入探討了新研發的低功耗軌到軌運算放大器 aRD820,重點關注其設計、性能分析以及與業界標準 AD820 的比較。
引言
運算放大器 (op amps) 作為類比電子學中的關鍵元件,廣泛應用於訊號調節、儀器儀表、電壓調節和類比數位轉換等領域。本論文旨在介紹 aRD820 的設計、開發和評估,它是一款低功耗、軌到軌運算放大器,可作為業界標準 AD820 的經濟高效替代品。
設計與方法
aRD820 的設計基於 AD820 原型電路,針對 RD Alfa Microelectronics 的生產能力進行調整,並針對複製 AD820 過程中遇到的特定限制進行了修改。
- 生產限制的挑戰: 最初嘗試複製 AD820 電路時,測試晶片出現了性能缺陷,原因包括:使用的 N 溝道 FET 電晶體噪聲性能較差、電晶體輸出特性「歐姆區」較寬導致跨導較低、FET 電晶體閘截止電壓差異大、薄膜電阻性能差等。
- 設計修改: 為了解決這些問題,對 AD820 的電路圖進行了修改,重新設計了輸入級、第二級(預最終級)、輸出級和電流參考級,以增強噪聲性能、擴展輸入訊號範圍、穩定輸入電晶體上的電壓並解決相位穩定性問題。
- 結構設計: aRD820 採用了 n-p-n、p-n-p 和 n-FET 三種核心電晶體配置的結構化方法,多層結構設計確保了放大器工作穩定性和可靠性所需的精確電氣特性。
結果與討論
對晶圓形式和 TO-5 封裝內的 aRD820 晶片進行了測試,結果表明 aRD820 在多項關鍵性能參數上滿足或超過了預期性能基準。
- 偏移電壓: 在常溫和極端溫度下,aRD820 的偏移電壓均在預期範圍內,與 AD820 的數據表顯示的結果相似。
- 輸入偏置電流: 在常溫和極端溫度下,aRD820 的輸入偏置電流均低於預期限制,與 AD820 的性能相當。
- 輸入偏移電流: aRD820 的輸入偏移電流在常溫和極端溫度下均低於預期限制。
- 開環增益: aRD820 在不同負載電阻和電源電壓下均表現出穩定的開環增益,在 2 kΩ 負載電阻下,低頻時約為 100 dB。與 AD820 相比,aRD820 在某些條件下表現出更高的增益。
- 輸出飽和電壓: aRD820 的輸出飽和電壓(高)和輸出飽和電壓(低)均在規定的最大限值以下,與 AD820 數據表中呈現的趨勢一致。
- 電壓噪聲: aRD820 的電壓噪聲特性符合計劃規格,確保了放大器適用於靈敏訊號應用。
- 動態響應: aRD820 和 AD820 在時變訊號的小訊號響應(單位增益跟隨器)測試中表現出相似的性能。
結論
aRD820 運算放大器的開發和測試展示了低功耗、軌到軌運算放大器技術的進步。通過調整 AD820 的設計以適應 RD Alfa Microelectronics 的製造能力和材料限制,aRD820 在解決 AD820 複製過程中遇到的特定限制的同時,實現了可媲美的性能特徵。實驗結果驗證了設計修改,並為未來的改進和商業應用奠定了堅實的基礎。
סטטיסטיקה
aRD820 的設計目標是工作在 5 到 30 伏的單電源電壓或 ±2.5 伏到 ±15 伏的雙電源電壓下。
aRD820 的關鍵規格包括低電壓噪聲(從 0.1 到 10 赫茲,峰峰值小於 4 微伏;約 13 納伏/√赫茲)、超低輸入偏置電流(小於 15 皮安)和低偏移電壓(小於 500 微伏)。
aRD820 晶片在常溫下的輸入偏移電流呈現正態分佈。
aRD820 在常溫和 2 kΩ 負載電阻下的開環增益呈現對數正態分佈。
aRD820 的開環增益在負載電阻超過 1 kΩ 時呈現線性關係。
在較高的電源電壓下,AD820 的開環增益較高,而 aRD820 的開環增益則相反。
aRD820 在 0.1 赫茲到 10 赫茲的電壓噪聲平均為 3 微伏峰峰值。
aRD820 的輸入電壓噪聲密度值為 13.5 - 18.1 納伏/√赫茲。
aRD820 在約 1.5 - 2 兆赫茲的開環增益為 0 dB。
在 60 攝氏度時,aRD820 和 AD820 的輸入偏置電流均達到約 20 皮安。
aRD820 的訊號上升時間約為 0.1 微秒,穩定時間約為 1 微秒。
AD820 的訊號上升時間約為 0.2 微秒,穩定時間約為 0.5 微秒。