이 논문은 이진 배열 코드에 대한 새로운 접근법을 제시한다. 기존의 BR 코드와 IP 코드는 다항식 링 Rp,1 상에서 정의되었지만, 이 논문에서는 더 일반적인 다항식 링 Rp,τ 상에서 ETBR 및 ESIP 코드를 정의한다.
ETBR 및 ESIP 코드를 기반으로 하는 새로운 이진 배열 코드인 V-ETBR 및 V-ESIP 코드를 제안한다. 이 변형 코드들은 이진 MDS 배열 코드가 되기 위한 조건을 제시한다. 특히, 이 조건들은 ETBR/ESIP 코드와 V-ETBR/V-ESIP 코드 사이의 일반적인 연결 관계에 기반한다.
또한 Vandermonde 및 Cauchy 행렬을 이용한 V-ETBR 및 V-ESIP MDS 배열 코드의 구체적인 구성을 제시한다. 이 코드들은 이전 이진 MDS 배열 코드에 비해 데이터 열의 수가 지수적으로 증가할 수 있어 대규모 저장 시스템에 더 적합하다.
마지막으로 V-ETBR 및 V-ESIP MDS 배열 코드에 대한 빠른 증후 계산 방법을 제안한다. 이 방법들은 기존 MDS 코드 중 가장 낮은 계산 복잡도를 달성한다.
In un'altra lingua
dal contenuto originale
arxiv.org
Approfondimenti chiave tratti da
by Leilei Yu,Yu... alle arxiv.org 04-02-2024
https://arxiv.org/pdf/2310.08271.pdfDomande più approfondite