核心概念
新興デバイスの物理ベースコンパクトモデルを使用して、Mottメモリスタのダイナミクスと安定性を理解する。
要約
新興デバイスであるMottメモリスタにおける非線形ダイナミクスと安定性解析について詳細に検討された。物理的なパラメータを考慮した1次元Mottメモリスタコンパクトモデルが提案され、局所的な分析手法や大域的手法が適用された。局所的な分析では、小信号線形化技術やChuaのLA理論が使用され、固定点周りでの振る舞いが調査された。一方、大域的手法では、nullclinesや位相ポートレートが使用されて非超単純固定点近くでの振動や不安定性に関する洞察が提供された。さらに、1次元Mottメモリスタを他の反応要素と結合した場合のシステム次元性と動的複雑さについても議論された。
統計
1次元Mottメモリスタは微小な入力電流から始まり、特定の閾値を超えると金属相率が増加し始める。
メモリアンス関数Rch(xQ)は入力電流が増加すると急速に減少し、非線形的な傾向を示す。
定常状態(vQ, xQ)は左側に取っ手を持つカップ型のような形状を示し、xQ = 0.00567およびxQ = 0.60628でピークおよび谷底を持つ。
安定状態(iQ, vQ)は「N」字型であり、3つの特徴的領域(PDR領域、NDR領域)を持ち、ic1およびic2で局所極値を生じる。
引用
"Being a one-port device, locally-active memristors (LAMs) and passive memristors share the same level of 4F2 scalability in a crossbar geometry."
"We also examined the applicability of local analyses on a second-order circuit consists of a vanadium dioxide memristor coupled to an external reactive element, specifically a parallel capacitor."
"Experimental spiking neurons built with VO2 Mott memristors showed two dozens of biological neuronal temporal dynamics, including all three classes of neuronal excitability."