核心概念
本研究では、隣接する全てのドット間の相互作用を調整可能な、シリコン上に作製された2x2量子ドットアレイについて報告する。このデバイスは、将来の2次元量子プロセッサ開発に向けた重要な一歩となる。
要約
シリコンMOS 2x2量子ドットアレイにおける交換結合の研究
本論文は、シリコン上に作製された、ペアワイズ相互作用の完全な調整が可能な2x2量子ドットアレイについて報告する研究論文である。
Lim, W. H., Tanttu, T., Youn, T., Huang, J. Y., Serrano, S., ... & Dzurak, A. S. (2024). A 2×2 quantum dot array in silicon with fully tuneable pairwise interdot coupling. arXiv preprint arXiv:2411.13882.
本研究の目的は、隣接する全てのドット間の交換結合を完全に制御可能な、シリコンMOS技術を用いた2x2量子ドットアレイを作製し、その特性を評価することである。