核心概念
ラシュバスピン軌道相互作用がFeSe単層膜のバンド構造に与える影響を、高分解能ランダウ準位分光法と準粒子干渉測定を用いて調査した。
要約
走査型トンネル分光法により明らかになったFeSe単層膜のランダウ準位量子化とバンド分裂
本論文は、鉄系超伝導体FeSe単層膜のバンド構造、特にラシュバスピン軌道相互作用(SOC)の影響について、走査型トンネル顕微鏡/分光法(STM/STS)を用いた実験結果を報告する研究論文である。
本研究は、基板上に成長させたFeSe単層膜におけるラシュバSOCの影響を、ランダウ準位分光法と準粒子干渉(QPI)測定を用いて調べることを目的とする。
SiC基板上に異なる超伝導ギャップサイズを持つFeSe単層膜を作製。
極低温、強磁場下でSTM/STS測定を実施し、ランダウ準位とQPIパターンを観測。
観測結果を基に、ホールバンドと電子バンドの分散関係、有効質量、ラシュバパラメータなどを解析。
理論モデルを用いて実験結果を解釈し、ラシュバSOCの影響を考察。