本文综述了利用扫描隧道显微镜(STM)研究各类卡戈米材料表面终止的研究进展。首先指出,直接测量台阶高度无法精确确定表面终止,因为电子态的差异会影响隧道测量。相反,我们提出了一种基于原子级台阶几何成像的通用方法。
对于分层结构的卡戈米材料,通常会在相邻层(N层)和孤立层(I层)之间发生断裂,从而在表面形成缺陷。上层I层会产生空位缺陷,下层N层会产生吸附原子缺陷。这种特征性的缺陷分布为确定表面终止提供了依据。此外,我们还提出利用层选择性的化学掺杂标记来验证表面终止。
通过回顾11型(CoSn)、32型(Fe3Sn2)、13型(Mn3Sn)、135型(KV3Sb5)、166型(ScV6Sn6、TbMn6Sn6)和322型(Co3Sn2S2、Ni3In2Se2)等卡戈米材料的STM研究结果,我们展示了这种原子级台阶几何成像方法的普适性。这种方法不依赖于理论计算,但确定的表面终止可为后续的第一性原理计算提供指导。
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