本論文では、14ビットの高精度アナログ分子メモリスタを紹介している。この分子メモリスタは、ルテニウム錯体のアゾ芳香族リガンドを用いて設計されており、16,520の離散的な導電率レベルを持つ。これにより、重み更新手順を大幅に簡略化できる。また、この分子メモリスタは単方向性を持つため、セレクタレスの64×64クロスバーアーキテクチャを実現できる。このクロスバーを用いることで、ベクトル行列乗算や高速フーリエ変換などの演算を1ステップで行うことができる。さらに、73dBを超えるSNR性能と、デジタルコンピューターに比べて460倍低いエネルギー消費を実現している。このようなアクセラレータを活用することで、ニューロモーフィックコンピューティングを従来の限定的な用途から解放し、クラウドからエッジまでのデジタル電子機器の中核を強化することができる。
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by Deepak Sharm... om www.nature.com 09-11-2024
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