本研究では、強誘電体のランダウモデルを遷移状態理論と組み合わせることで、さまざまな数学モデルを統一的に説明することができることを示した。
まず、第一原理計算に基づいて、正方晶HfO2の二つの最安定な原子構造を明らかにした。これらの構造間の遷移経路を計算し、ランダウモデルのパラメータを決定した。
次に、小領域での独立な分極反転をモデル化する統計的なアプローチ(プライザッハモデル、核生成制限スイッチングモデル)を示した。これらのモデルは、ランダウポテンシャルの二重井戸構造と遷移状態理論から導出できることを明らかにした。
さらに、強誘電体-誘電体積層構造の挙動を解析した。遷移状態理論に基づくアプローチでは、分極が完全に抑制される条件を正しく予測できるが、準静的負の静電容量の存在は予測されない。これは、ランダウポテンシャルの極大値が物理的に安定化できないためである。
以上より、ランダウモデルと遷移状態理論を組み合わせることで、強誘電体の分極スイッチング動力学を統一的に理解できることが示された。この解釈は、準静的負の静電容量の存在を予測しない。
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