Główne pojęcia
다항식 링 Rp,τ 상에서 정의된 ETBR 및 ESIP 코드를 기반으로 하는 새로운 이진 배열 코드 V-ETBR 및 V-ESIP 코드를 제안하고, 이들이 이진 MDS 배열 코드가 되기 위한 조건을 제시한다. 또한 이러한 변형 코드에 대한 빠른 증후 계산 방법을 제안한다.
Streszczenie
이 논문은 이진 배열 코드에 대한 새로운 접근법을 제시한다. 기존의 BR 코드와 IP 코드는 다항식 링 Rp,1 상에서 정의되었지만, 이 논문에서는 더 일반적인 다항식 링 Rp,τ 상에서 ETBR 및 ESIP 코드를 정의한다.
ETBR 및 ESIP 코드를 기반으로 하는 새로운 이진 배열 코드인 V-ETBR 및 V-ESIP 코드를 제안한다. 이 변형 코드들은 이진 MDS 배열 코드가 되기 위한 조건을 제시한다. 특히, 이 조건들은 ETBR/ESIP 코드와 V-ETBR/V-ESIP 코드 사이의 일반적인 연결 관계에 기반한다.
또한 Vandermonde 및 Cauchy 행렬을 이용한 V-ETBR 및 V-ESIP MDS 배열 코드의 구체적인 구성을 제시한다. 이 코드들은 이전 이진 MDS 배열 코드에 비해 데이터 열의 수가 지수적으로 증가할 수 있어 대규모 저장 시스템에 더 적합하다.
마지막으로 V-ETBR 및 V-ESIP MDS 배열 코드에 대한 빠른 증후 계산 방법을 제안한다. 이 방법들은 기존 MDS 코드 중 가장 낮은 계산 복잡도를 달성한다.
Statystyki
이진 배열 코드는 RAID과 같은 저장 시스템에서 데이터 손실을 방지하기 위해 널리 사용된다.
BR 코드와 IP 코드는 다항식 링 F2[x]/⟨Pp−1
i=0 xi⟩ 상에서 정의된다.
이 논문에서는 더 일반적인 다항식 링 F2[x]/⟨Pp−1
i=0 xiτ⟩ 상에서 ETBR 및 ESIP 코드를 정의한다.
V-ETBR 및 V-ESIP 코드는 ETBR 및 ESIP 코드의 이진 버전이며, 이진 MDS 배열 코드가 되기 위한 조건을 제시한다.
제안된 V-ETBR 및 V-ESIP MDS 배열 코드는 데이터 열의 수가 지수적으로 증가할 수 있어 대규모 저장 시스템에 더 적합하다.
빠른 증후 계산 방법을 제안하여 기존 MDS 코드 중 가장 낮은 계산 복잡도를 달성한다.
Cytaty
"이 논문은 이진 배열 코드에 대한 새로운 접근법을 제시한다."
"제안된 V-ETBR 및 V-ESIP MDS 배열 코드는 데이터 열의 수가 지수적으로 증가할 수 있어 대규모 저장 시스템에 더 적합하다."
"빠른 증후 계산 방법을 제안하여 기존 MDS 코드 중 가장 낮은 계산 복잡도를 달성한다."