本文探討了拓撲絕緣體和超導體中一個重要特徵:體系邊界對應關係。傳統的體系邊界對應關係闡述了材料體性質與其邊界電子動力學之間的關係,而高階體系邊界對應關係則更進一步,揭示了在晶體材料中,多個平面邊界相交形成的鉸鏈或角上出現的受保護邊界模式。
高階體系邊界對應關係的研究源於對晶體材料中角態的觀察。這些角態的穩定性取決於體材料的拓撲性質和晶體對稱性。與傳統的體系邊界對應關係不同,高階體系邊界對應關係需要考慮多個邊界之間的相互作用以及晶體對稱性的影響。
本文採用算子 K 理論和群胚 C*-代數作為主要研究工具。通過構建一個能夠描述晶體無限尺寸極限的 C*-代數,並利用其在晶體邊界上的表示,研究人員可以推導出描述高階體系邊界對應關係的數學公式。
本文的主要發現是一個新的 C*-代數框架,它可以有效地描述晶體材料中高階體系邊界對應關係。該框架基於對晶體無限尺寸極限的數學描述,並利用群胚 C*-代數來表示晶體中不同位置的電子動力學。
本文的研究成果為理解和預測晶體材料中的高階體系邊界對應關係提供了一個嚴謹的數學框架。這對於設計新型拓撲材料和開發基於拓撲保護的電子器件具有重要意義。
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