本研究では、5つのトランジスタと2つの磁気トンネル接合から成る新しい不揮発性のスピン移行トルク支援型スピン軌道トルクベースの三値連想メモリを提案している。
デバイスレベルでは、書き込み誤り率、時間、電流などの様々な書き込み特性をマイクロマグネティックシミュレーションを用いて得ている。アレイレベルの検索と書き込みパフォーマンスは、7nmテクノロジーノードでのレイアウト抽出パラシティックを考慮したSPICEサーキットシミュレーションに基づいて評価されている。正確な検索に対して3.9x10-11の検索誤り率が予測されている。さらに、様々なシナリオの下で近似検索操作の解像度が定量化されている。
アプリケーションレベルでは、提案設計の性能と精度が評価され、他の最先端のCAM設計と比較されている。特に、CAMベースの推薦システムのコンテキストで検討されている。
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by Siri Narla, ... ที่ arxiv.org 09-27-2024
https://arxiv.org/pdf/2409.17863.pdfสอบถามเพิ่มเติม