核心概念
氧空位的聚集狀態會影響鈦酸鋇基鐵電材料的電子摻雜程度,進而影響居里溫度和疇壁釘扎效應,並導致材料老化和疲勞。
摘要
鈦酸鋇基鐵電材料中氧空位的影響研究
本研究論文探討了氧空位在 BaTiO3 (BT)、BaxSr1-xTiO3 (BST) 和 (Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3 (BCTZ) 等鈦酸鋇基鐵電材料中的行為及其對材料性質的影響。
研究方法
研究人員通過在不同氧含量和老化時間下對材料進行加熱和冷卻,測量了其楊氏模量和彈性能量損耗。通過分析彈性能量損耗峰,他們確定了孤立氧空位和氧空位對的跳躍速率和活化能。
研究結果
- 氧空位會導致居里溫度 (TC) 降低,並使其表現出歷史依賴性。在 BT 和 BST 中,TC 會隨著在鐵電狀態下的老化時間而增加,但在 BCTZ 中則沒有觀察到這種現象。
- 氧空位會導致彈性能量損耗峰的出現,這些峰與孤立氧空位和氧空位對的跳躍有關。
- 氧空位會導致疇壁釘扎效應,從而降低材料的彈性能量損耗。
研究結論
- 氧空位的聚集狀態會影響電子摻雜程度。孤立的氧空位會提供兩個電子,而形成氧空位對則會使電子摻雜減半。
- TC 的歷史依賴性可通過氧空位的聚集動力學來解釋。在老化過程中,氧空位會逐漸聚集,從而降低電子摻雜並提高 TC。
- BCTZ 中沒有觀察到老化效應,因為在室溫下,幾乎所有氧空位都已聚集並保持穩定狀態。
- 長時間老化後,TC 會降低,這可能是因為氧空位會遷移到 90° 疇壁,導致電子摻雜增加。
研究意義
這項研究提供了關於氧空位在鈦酸鋇基鐵電材料中行為的新見解,有助於更好地理解這些材料的老化、疲勞和性能退化機制。
統計資料
在 BaTiO3 中,孤立氧空位的跳躍勢壘約為 0.73 eV,而氧空位對的重新定向勢壘約為 0.86 eV。
在 BCTZ 中,孤立氧空位的跳躍勢壘約為 0.80 eV,而氧空位對的重新定向勢壘約為 1.39 eV。
在 BST (x = 0.03) 中,氧含量變化導致的 TC 變化範圍為 21 K。
在 BT 中,長期老化(6 年)後,TC 降低。