核心概念
二硫化鍺 (GeS2) 作為一種寬帶隙范德華晶體,在整個可見光譜中表現出高折射率、可忽略的損耗和雙軸光學各向異性,使其成為紫外-可見光範圍內光子學應用的理想材料。
統計資料
二硫化鍺的晶格參數為 a = 6.6946(14) Å,b = 16.037(3) Å,c = 11.423(2) Å。
能帶隙為 3.4 - 3.7 eV。
平面內雙折射率達到 Δn ~ 0.12。
面外雙折射率高達 0.63。
在 362 nm 以上的波長處,消光係數 k 接近於零。
引述
“GeS2 has the potential to complement TiO2 and close the application gap of vdW materials in the visible spectrum.”
“Our work shows that GeS2 demonstrates high optical anisotropy and the highest refractive index among transparent vdW materials in the visible-UV range down to 360 nm, making it, thus far, the only highly refractive anisotropic vdW material without optical losses across the entire visible spectrum.”