核心概念
將匯流排移至多結太陽能電池活性區域外部的創新設計,能減少陰影損耗並提高效率,尤其適用於微型聚光太陽能電池應用。
研究目標:
本研究旨在探討一種先進的前接觸網格設計,該設計將匯流排置於活性區域之外,以提升 III-V 族多結太陽能電池的性能。
方法:
研究人員製作了具有不同電介質偏移量的 GaInP/GaAs/GaInNAsSb 三結太陽能電池,並採用外部匯流排的網格設計。
使用電致發光 (EL) 和電流-電壓 (IV) 量測來評估元件性能。
進行接觸電阻量測以分析金屬-半導體介面的電氣特性。
主要發現:
與沒有額外接觸層 GaAs 蝕刻的太陽能電池相比,在接觸金屬沉積之前進行額外蝕刻步驟的太陽能電池表現出顯著的性能提升。
額外蝕刻步驟使平均填充因子值顯著提高,SC1 和 SC2 太陽能電池分別從 77.3% 提高到 83.8% 和從 79.5% 提高到 84.6%。
轉換效率值也因額外蝕刻而顯著提高,SC1 和 SC2 太陽能電池分別從 24.4% 提高到 26.2% 和從 23.6% 提高到 26.0%。
EL 成像顯示,未經額外蝕刻的太陽能電池的 GaInP 子電池的 EL 分佈不均勻,而經過額外蝕刻的太陽能電池則顯示出更均勻的 EL 分佈。
接觸電阻量測表明,電介質雙層的電漿蝕刻會導致接觸層 GaAs 材料品質下降,從而導致寄生電阻損耗增加。
主要結論:
在接觸金屬沉積之前蝕刻接觸層 GaAs 對於獲得良好的單日照 IV 性能和均勻的 EL 空間分佈至關重要。
額外的蝕刻步驟有助於減輕電漿蝕刻引起的損壞,從而改善金屬-半導體介面並降低電阻損耗。
將匯流排置於活性區域之外的網格設計在最大程度地減少陰影損耗和與暗區相關的電壓損耗方面具有潛力,使其特別適用於聚光太陽能 (CPV) 和微型聚光太陽能 (µCPV) 應用。
意義:
本研究強調了在具有外部匯流排的先進接觸網格設計中優化接觸層 GaAs 蝕刻步驟的重要性,以實現高效 III-V 族多結太陽能電池。研究結果為進一步開發用於 µCPV 應用的高性能太陽能電池提供了寶貴的見解。
局限性和未來研究:
未來需要進行研究,以優化接觸層 GaAs 的蝕刻深度,以在聚光條件下獲得最佳性能。
應探索替代的、非破壞性的蝕刻方法,以最大程度地減少電漿引起的損壞並進一步提高元件性能。
統計資料
額外蝕刻步驟使 SC1 太陽能電池的平均填充因子值從 77.3% 提高到 83.8%。
額外蝕刻步驟使 SC2 太陽能電池的平均填充因子值從 79.5% 提高到 84.6%。
額外蝕刻步驟使 SC1 太陽能電池的轉換效率值從 24.4% 提高到 26.2%。
額外蝕刻步驟使 SC2 太陽能電池的轉換效率值從 23.6% 提高到 26.0%。
電漿損壞深度超過 100 奈米,但根據接觸電阻率測量結果小於 150 奈米。