核心概念
使用與所選交換關聯 (XC) 泛函不相容的贗勢進行密度泛函理論 (DFT) 計算,會導致對固體材料的機械和結構性質預測產生顯著誤差。
摘要
文獻資訊
- 標題:由於贗勢與交換關聯泛函不相容,導致 DFT 計算固體機械和結構性質的不確定性
- 作者:Marcin Maździarz
- 機構:波蘭科學院基礎技術研究所,華沙,波蘭
- 發佈日期:2024 年 10 月 31 日
- 版本:v2
研究目標
本研究旨在探討在密度泛函理論 (DFT) 計算中,使用與所選交換關聯 (XC) 泛函不相容的贗勢,對於預測晶體材料機械和結構性質的準確性有何影響。此外,本研究還評估了常用 XC 泛函(LDA、PBE、PBEsol 和 SCAN)在一致性計算中的表現。
方法
- 選擇了九種立方晶體固體(三種金屬、三種共價和三種離子結構)作為分析對象。
- 使用 ABINIT 軟體套件進行基於平面波基組的 DFT 計算,並使用 CP2K 軟體套件進行基於原子軌道基組的計算。
- 測試了 LDA、PBE、PBEsol 和 SCAN 等 XC 泛函,並使用了與這些泛函相容和不相容的贗勢進行計算。
- 計算了晶格常數、內聚能、表面能、彈性常數和體積模量等機械和結構性質。
- 使用平均絕對百分比誤差 (MAPE) 和 ∆gauge 來量化計算結果與實驗數據或一致性計算結果之間的差異。
主要發現
- 晶格常數受贗勢與 XC 泛函不相容性的影響遠小於其他機械性質,約為 3-15 倍。
- 表面能對贗勢與 XC 泛函不相容性特別敏感。
- 平均而言,SCAN/PBE 不一致性誤差 (MAPE = 3.401%) 約為 PBE/PBEsol 不一致性誤差 (MAPE = 0.522%) 的 7 倍,LDA/GGA 不一致性誤差 (MAPE = 1.042%) 的 3 倍。
- 使用 ∆gauge 測量的平均不一致性誤差對於 PW LDA/GGA 計算約為 2 meV/atom,對於 GGA1/GGA2 (1≠2) 約為 0.5 meV/atom,對於 AO MGGA/GGA 計算約為 6 meV/atom,這些都是不可忽略的顯著量。
- 平均而言,當參考數據來自實驗時,PBEsol (GGA) XC 泛函的表現明顯優於 PBE (GGA),而 PBE (GGA) 的表現略優於 LDA。
- 平均而言,當參考數據來自實驗時,SCAN (MGGA) 的表現並不優於 PBE (GGA)。
結論
在使用給定 XC 泛函執行 DFT 計算時,務必注意該泛函與所用贗勢的相容性。缺乏這種相容性/一致性可能會導致 LDA/GGA 不一致性平均誤差約為 1%,GGA1/GGA2 (1≠2) 約為 0.5%,MGGA/GGA 約為 3%。所有 XC 泛函品質測試/排名也應包含可能的不一致性誤差。
統計資料
LDA/GGA 不一致性的平均誤差約為 1%。
GGA1/GGA2 (1≠2) 不一致性的平均誤差約為 0.5%。
MGGA/GGA 不一致性的平均誤差約為 3%。
PW LDA/GGA 計算的平均不一致性誤差約為 2 meV/atom。
GGA1/GGA2 (1≠2) 計算的平均不一致性誤差約為 0.5 meV/atom。
AO MGGA/GGA 計算的平均不一致性誤差約為 6 meV/atom。
引述
"The demand for pseudopotentials constructed for a given exchange-correlation (XC) functional far exceeds the supply, necessitating the use of those commonly available."
"The error in the band gap when standard LDA/PBE PPs are used inconsistently to perform electronic structure calculations using other XC functionals is about 0.1 eV, resulting in absolute relative errors in the 5–10% range."
"PPs-XC functionals incompatibility leads to significant differences in the resulting electronic structure compared to all-electron calculations, and that this practice should be avoided."