Hou, W. S., Dong, M. Q., Zhang, X., & Guo, Z. X. (YYYY). Giant Anisotropic Magnetoresistance in Magnetic Monolayers CrPX3 (X = S, Se, Te) due to symmetry breaking between the in-plane and out-of-plane crystallographic axes. [期刊名稱], [卷號], [頁碼].
本研究旨在探討二維磁性材料 CrPX3 (X = S, Se, Te) 中出現巨大各向異性磁阻 (AMR) 的現象及其背後的物理機制。
本研究採用密度泛函理論 (DFT) 和波茲曼輸運方程式 (BTE) 計算,系統地研究了 CrPX3 (X = S, Se, Te) 單層材料的 AMR 效應。研究人員計算了不同磁化方向下的電子結構和電阻率,並分析了自旋軌道耦合 (SOC) 對 AMR 的影響。
本研究揭示了二維磁性材料中存在奇異的 AMR 特性,並闡明了其物理機制。這些發現為開發基於二維材料的新型 AMR 自旋電子器件提供了理論依據。
本研究為理解和應用二維磁性材料中的 AMR 效應提供了新的見解,並為開發高靈敏度傳感器和新型存儲器件開闢了新的途徑。
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