核心概念
本文從第一性原理出發,推導出重費米子材料的低能有效哈密頓量,並探討了交換作用中的各向異性來源。
重費米子材料作為典型的強關聯電子系統,展現出豐富的奇異現象。雖然受這些材料啟發的簡化最小模型哈密頓量提供了有價值的見解和新穎的概念,但探索更廣泛的現實模型對於深入了解這些材料可能擁有的物質狀態至關重要。
在 d 電子材料領域,從過度簡化的有效模型到包含自旋軌道耦合的更現實的哈密頓量的轉變,對於發現新的物質狀態至關重要。此外,對 d 電子材料的微觀見解為理解有效磁交換相互作用的符號提供了必要的指導原則,並探索了交換各向異性的潛在起源。為 f 電子材料制定類似的規則可能會顯著影響尋找新的量子物質態,例如量子自旋液體或斯格明子晶體。然而,由於相關能級的顯著差異,從第一性原理有效模型中獲得見解對於 f 電子系統來說仍然具有挑戰性。
推導低能模型的第一步是識別能級的層次結構。對於 f 電子離子,相關的單離子尺度包括庫侖相互作用、自旋軌道耦合 (SOC) 和晶體場 (CF) 勢。在 Russell-Saunders 耦合方案中假設的層次結構 Eint ≫ ESOC ≫ ECF 通常用於推導有效的自旋模型。然而,請注意,此層次結構可能不適用於每個 f 離子。例如,最近的研究表明,在四價 Pr4+ 離子中,CF分裂和自旋軌道耦合的大小相當,即 ESOC ∼ ECF。
由於缺乏通用規則以及強自旋軌道耦合和 CF 分裂相互作用引起的顯著交換各向異性的可能性,突出了該領域需要微觀方法。在本文中,我們提出了從多體處理週期性安德森模型 (PAM) 中系統地推導有效低能模型,例如 Kondo-Heisenberg 晶格模型 (KHLM) 和有效自旋哈密頓量,其中參數是從第一性原理計算中提取的。這種集成方法可以為高度相關的 f 電子系統的複雜行為提供有價值的見解。