核心概念
本研究展示了一種利用原子級薄的過渡金屬二硫屬化物 (TMD) 作為反射鏡,實現具有手性和平面能帶特性的新型二維奈米光學腔。
本研究發表於arXiv預印本平台,介紹了一種利用原子級薄的過渡金屬二硫屬化物 (TMD) 作為反射鏡,實現具有手性和平面能帶特性的新型二維奈米光學腔。
研究背景
光學腔是許多光子學和光電技術的核心元件,用於限制光在空間中的傳播並操控光子態密度。傳統的光學腔通常使用金屬或介電材料作為反射鏡,而近年來,具有高光學品質和強結合激子的過渡金屬二硫屬化物 (TMD) 材料,成為原子級薄反射鏡的潛力新星。
研究方法
本研究利用兩片原子級薄的二硒化鉬 (MoSe2) 單層膜作為反射鏡,並以六方氮化硼 (hBN) 包覆,形成厚度僅數百奈米的平面光學腔。研究團隊透過轉移矩陣法 (TMM) 和時域有限差分法 (FDTD) 進行模擬,驗證了此設計的可行性,並預測了光學腔的反射率、有效模式長度和品質因子。實驗結果證實了模擬預測,並展示了該奈米光學腔具有以下特性:
平面能帶: 與傳統平面腔不同,此奈米光學腔的共振模式能量不受入射角度影響,呈現出平面能帶特性。
磁誘導手性: 藉由外加磁場,可以打破系統的對稱性,使光學腔展現出手性行為,並實現對兩種圓偏振光 (σ+ 和 σ−) 的選擇性反射。
電學和光學可調性: 透過電柵極控制或改變激發光功率,可以調整 MoSe2 單層膜的激子能量和衰減率,進而實現對光學腔共振模式的動態調控。
研究意義
此研究提出了一種利用高品質激子材料實現光限制的新機制,為自旋光子界面和手性腔電動力學等領域開闢了新的可能性。此外,該奈米光學腔的平面能帶特性,使其在與二維材料中的量子發射器耦合方面具有獨特優勢,可應用於量子資訊處理等領域。
統計資料
單層 MoSe2 的激子反射率可達 85% 以上。
該奈米光學腔的品質因子 (Q) 約為 1060。
外加磁場下,σ+ 和 σ− 模式的能量差與磁場強度呈線性關係,g 因子約為 -4.46 ± 0.45。
電柵極調控可實現約 0.5 奈米的共振模式能量調諧。
當激發光功率超過臨界值 (約 7×10−3 W/µm2) 時,光學腔模式消失。
溫度升高會導致共振模式紅移和展寬,在約 200 K 時消失。