核心概念
本研究揭示了多外爾半金屬和高階外爾半金屬中圓偏振光激發產生贗自旋極化電子的現象,並揭示了其與拓撲荷和能帶結構的關係。
標題:超越外爾半金屬的拓撲光學贗自旋注入
作者:Suvendu Ghosh、Chuanchang Zeng、A. Taraphder、Jian-Xin Zhu、Snehasish Nandy
期刊:arXiv preprint
時間:2024 年 11 月 19 日
本研究旨在探討圓偏振光學贗自旋注入(OPI)在多外爾半金屬(mWSMs)和高階外爾半金屬(HOWSMs)中的特性。