在低磁場下，高摻雜 InAs 對中紅外光的非互易反射

高摻雜 InAs 在低磁場下表現出顯著的中紅外光非互易反射特性，為非互易熱輻射器和吸收器的實際應用以及磁場感測等領域帶來了新的可能性。