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洞見 - 量子霍爾效應
在填充因子 ν = 1 附近形成的安德森絕緣體和維格納固體的熱激活特徵
在 ν = 1 整數量子霍爾態下，安德森絕緣體和維格納固體的熱激發行為展現出與其穩定區域密切相關的獨特特徵，特別是在兩相邊界處觀察到活化能的顯著降低。
具有伽利略不變性的量子霍爾系統的通用非線性響應
本文利用有效場論，探討了具有伽利略不變性的量子霍爾系統在電磁場作用下，電荷、能量和動量流之間的關係，揭示了不同響應之間的普適關係，並特別強調了霍爾電導率和霍爾黏度在其中的關鍵作用。
單一朗道能級中由超晶格誘導的電子滲流現象研究
在單一朗道能級中，δ函數勢的方形超晶格的存在會影響電子的局域化和滲流特性，特別是在超晶格間距與磁長度相當的情況下，會觀察到大量的非局域化態，導致電子滲流現象的增強。
中子星環境中量子霍爾效應的可能性：手性模型方法
本研究探討了在中子星內部極端條件下，由於蘭道量子化效應，夸克物質可能展現出量子霍爾效應，並分析了手性有效模型在預測此現象中的作用。
在雙層石墨烯中，四分之一和二分之一填充量子霍爾態及其相互競爭的交互作用
這項研究揭示了雙層石墨烯中四分之一和二分之一填充量子霍爾態的系統模式，以及決定其拓撲順序的關鍵因素，突出了不同複合費米子配對之間的競爭交互作用。
三維拓撲絕緣體 HgTe 中的量子霍爾效應和電流分佈研究
在高磁場下，三維拓撲絕緣體 HgTe 中的多個載流子子系統會合併成單個二維電子系統，從而產生量子霍爾效應，並且電流分佈在整個霍爾棒器件的寬度上。
在 10-9 水準下實現零外加磁場量子電阻標準
本文展示了在零外加磁場下，基於磁性拓撲絕緣體 (V,Bi,Sb)2Te3 的元件實現了 10-9 水準的量子霍爾電阻標準。
在量子霍爾效應體制下直接測量體電流
本研究通過實驗證明，在量子霍爾效應體制下，電流傳輸會隨著磁場變化經歷從邊緣傳輸到體傳輸的轉變，此現象挑戰了傳統的蘭道爾-布呂克圖像，並支持了考慮電子間相互作用的屏蔽理論。
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