Vertical NAND Storage Pass Disturb Free with Dual-Port FeFET

Khái niệm cốt lõi

Proposing a dual-port FeFET design to eliminate pass disturb in vertical NAND storage.

Tóm tắt

The article introduces a dual-port FeFET design to address pass disturb in vertical NAND storage. It explains the challenges faced by single-port FeFETs and demonstrates the effectiveness of the proposed dual-port design. The content covers the origin of pass disturb, experimental verifications, and integration into highly scaled vertical NAND arrays. Detailed insights are provided on the structural modifications, operational principles, and experimental validations of the dual-port FeFET design.

Thống kê

"The proposed design can be incorporated in a highly scaled vertical NAND FeFET string."
"The pass gate can be incorporated into the existing 3D NAND with the negligible overhead of the pass gate interconnection."

Trích dẫn

"We have demonstrated the challenges of the single-port NAND FeFET in handling pass disturb and the effectiveness of the proposed dual-port design."
"These demonstrations indicate that the proposed design is very promising in enabling high-reliability dense storage."

Thông tin chi tiết chính được chắt lọc từ

Paving the Way for Pass Disturb Free Vertical NAND Storage via A Dedicated and String-Compatible Pass Gate

by Zijian Zhao,... lúc arxiv.org 03-11-2024

https://arxiv.org/pdf/2403.04981.pdf

Yêu cầu sâu hơn

어떻게 이중 포트 FeFET 디자인이 NAND 저장 기술의 미래 발전에 영향을 미칠 수 있을까요?

이중 포트 FeFET 디자인은 NAND 저장 기술의 미래 발전에 긍정적인 영향을 미칠 수 있습니다. 이 디자인은 pass disturb-free 작동을 가능하게 함으로써 기존의 단일 포트 디자인에서 발생하는 문제를 극복할 수 있습니다. Pass disturb는 메모리 상태에 영향을 미치는 중요한 문제이며, 이중 포트 구조는 이를 해결함으로써 메모리의 안정성과 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다. 또한, 이 디자인은 더 높은 밀도와 빠른 속도를 제공하면서도 에너지 효율성을 향상시킬 수 있습니다. 이를 통해 NAND 저장 기술의 성능과 용량을 향상시키는 데 기여할 수 있습니다.

어떤 잠재적인 단점이나 제한 사항이 실제 응용 프로그램에서 이중 포트 FeFET 디자인의 구현으로 인해 발생할 수 있을까요?

이중 포트 FeFET 디자인의 구현으로 인해 발생할 수 있는 잠재적인 단점이나 제한 사항은 몇 가지가 있을 수 있습니다. 첫째, 이 디자인의 복잡성과 추가적인 구성 요소가 필요할 수 있어 제조 및 통합 과정에서 추가 비용과 시간이 소요될 수 있습니다. 둘째, 이중 포트 구조의 복잡성으로 인해 설계 및 유지 관리가 어려울 수 있으며, 오작동의 가능성이 높아질 수 있습니다. 또한, 이중 포트 FeFET의 성능은 구현 방식에 따라 다를 수 있으며, 최적의 조건을 찾는 데 시간과 노력이 필요할 수 있습니다.

FeFET에서의 pass disturb-free 작동 원리가 NAND 저장 기술 이외의 다른 메모리 기술에 어떻게 적용될 수 있을까요?

FeFET에서의 pass disturb-free 작동 원리는 NAND 저장 기술 이외의 다른 메모리 기술에도 적용될 수 있습니다. 예를 들어, NOR 플래시 메모리나 다른 비휘발성 메모리 디바이스에서도 비슷한 원리를 적용하여 pass disturb를 방지하고 메모리의 안정성을 향상시킬 수 있습니다. 또한, FeFET의 pass disturb-free 작동 원리는 다양한 응용 분야에서 메모리 기술의 발전을 촉진할 수 있으며, 더 나은 성능과 신뢰성을 제공할 수 있습니다. 이를 통해 다양한 메모리 기술의 혁신과 발전에 기여할 수 있습니다.