イオンビームを用いた新しい合成技術により、二次元遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の組成と形状を独立に制御することで、エネルギー構造をナノスケールで精密に調整し、カスタマイズ可能なオプトエレクトロニクス特性を実現できる。