페로브스카이트 반도체에서 강력한 전자 인출 능력을 가진 인산 화합물 도펀트를 통해 p형 및 n형 특성을 조절할 수 있다.
ペロブスカイト半導体において、強い電子引き抜き能力を持つリン酸基分子ドーパントを導入することで、高い発光特性を維持しつつ、信頼性の高いp型およびn型の導電性を実現できる。
