スピントロニクス

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Idée - スピントロニクス

単層1T'-MoS2は、外部電場や磁場変調の存在下で、スピンバレー偏極ワイス振動を示す。

ラシュバおよびドレッセルハウス型のスピン軌道相互作用を持つ二次元電子ガス（2DEG）へのスピンポンピング現象において、頂点補正またはボルツマン方程式の完全解が、スピン蓄積と逆ラシュバ-エデルシュタイン効果による電流生成を正確に記述するために重要である。

IrO$_2$（111）薄膜において、非従来型スピンホール効果と反対称平面ホール効果の共存が確認され、結晶対称性がこれらの効果に重要な役割を果たすことが示唆された。

本研究では、Ni4Wが従来のスピンホール材料よりも優れた磁化スイッチング効率を示す、有望な非従来型スピン軌道トルク材料であることを実証しました。

単結晶 Weyl 酸化物 SrRuO3 の単層において、微小な酸素原子変位によって生じるスピンベリー曲率が、低電流密度でのスピン軌道トルク磁化反転を誘起することを実証した。

本稿では、スピントロニクスをプラズモニックトポロジカル格子に導入することで、モアレ超格子を形成し、従来のプラズモニックシステムでは実現不可能な新しい準粒子のトポロジー、フラクタルパターン、スローライト制御などの新規な特性を実現できることを示しています。

本稿では、遷移金属トリカルコゲナイドのような反強磁性絶縁体において、印加電場によってエネルギー損失なしにネールスピン軌道トルク（NSOT）を生成できる新しいメカニズムを提案しています。

単層Fe3GeTe2は、バルクスピン軌道トルクにより垂直磁化の電界制御による決定論的なスイッチングが可能になる可能性がある。

ツリウム鉄ガーネット（TmIG）薄膜のスピン波（SW）伝搬特性は、基板の種類によって異なり、GGG基板上のTmIG薄膜では非相反的な磁気表面スピン波（MSSW）が、sGGG基板上のTmIG薄膜では等方的な前方体積スピン波（FVSW）が観測される。

キラルな結晶構造を持つ非共線アルターマグネット材料は、スピン軌道相互作用（SOC）の非存在下でも、大きなスピンホール効果とエーデルシュタイン効果を示す可能性がある。

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