利用單週期太赫茲脈衝蒸發非導電奈米樣品中的陽離子:實驗與理論研究

本研究探討了利用單週期太赫茲脈衝引發非導電矽二氧化物樣品中陽離子的蒸發,並重點關注脈衝極性對蒸發過程的影響。實驗發現,與正脈衝相比,負脈衝能更有效地觸發矽二氧化物奈米針尖中陽離子的蒸發。相反地,在具有金屬行為的樣品(如LaB6)中,脈衝極性對此過程沒有明顯影響。