양자점 접촉 트랜지스터 571개의 통계적 평가를 통해 밀리켈빈 온도에서 칩 내 다중화를 이용한 양자화된 전도도의 0.7 이상 현상 관찰

본 연구에서는 대규모 배열의 양자점 접촉 트랜지스터를 이용하여 0.7 이상 현상의 통계적 특성을 분석하였으며, 이는 van Hove 모델과 단거리 상호작용을 지지하는 결과를 보여준다.