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Ultra8Tは、リーク電流検出機能を備えた8T SRAMチップであり、0.25Vの極低電圧でも安定した読み出し動作を実現する。
Kivonat
Ultra8Tは、IoT向けの超低電力システムに適したSRAMチップである。従来のSRAMは、低電圧動作時にリーク電流の影響で読み出し動作が不安定になるという課題があった。
Ultra8Tでは、以下の2つの主要な技術を導入することで、この課題を解決している。
- リーク電流検出機能
- SRAMアレイ内のリーク電流を事前に検出し、安全な読み出しタイミングを設定する。
- これにより、低電圧時でも安定した読み出し動作を実現できる。
- PVT変動に追従する内部クロック生成回路
- プロセス、電圧、温度変動に追従して内部クロックを生成する。
- これにより、読み出しタイミングを最適化できる。
Ultra8Tの特徴は以下の通り:
- 28nmプロセスで実装
- 8Tメモリセルを採用
- 0.25Vの極低電圧で1.11μsの高速読み出しを実現
- 0.4Vで最小エネルギー消費1.69pJを達成
Statisztikák
0.25Vでの読み出し遅延は1.11μs
0.4Vでの最小エネルギー消費は1.69pJ