本論文では、反響室における試験対象デバイス(DUT)の感受性しきい値電界(E界)レベルを特定する新しい方法を提案している。従来の方法では、入力電力を調整しながら繰り返し測定を行う必要があったが、本手法では撹拌過程での合否判定の回数をカウントするだけで、効率的にしきい値レベルを推定できる。
具体的には以下の手順で行う。
この手法は、理想的な反響室条件下でのレーリー分布だけでなく、線形成分を含むライス分布の場合にも適用できる。シミュレーション結果から、十分な撹拌位置数があれば、高精度にしきい値レベルを特定できることが示された。また、全ての撹拌位置でDUTが合格または不合格となる確率も明らかにした。
本手法は、反響室を用いた放射感受性試験の効率化に寄与するものと期待される。
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