在碳化矽 (SiC(0001)) 基底上進行單層和（扭曲）多層石墨烯的外延生長

本文探討了在碳化矽基底上，利用硼氮環作為界面活性劑，通過改變退火溫度來控制單層和扭曲雙層石墨烯（tBLG）外延生長的形態。