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退火處理可以有效地將原子層沉積法製備的釕金屬薄膜轉變為二氧化釕，且退火溫度越高，二氧化釕的結晶度越高，對水的吸附能力也越強。

本研究提出了一種自下而上的方法，利用碳嵌入二維鹵化物，成功合成出一系列具有半導體和鐵磁特性的新型鑭系元素MXenes（Ln2CT2，Ln=Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Lu；T=Cl，Br）。

添加鋯元素對於SmCo磁體形成細胞/層狀奈米結構至關重要，而奈米結構中元素濃度梯度則決定了磁體的矯頑力。

本文旨在探討如何優化硫鋇鋯（BaZrS3）單晶的電接觸製程，以解決表面電介質問題，並實現高性能光電元件的製造。

氧空位的聚集狀態會影響鈦酸鋇基鐵電材料的電子摻雜程度，進而影響居里溫度和疇壁釘扎效應，並導致材料老化和疲勞。

退火溫度升高促進 Ostwald 熟化過程，減少晶界和孿晶界缺陷，是提升 ThMn12 型 Sm-Zr-Fe-Co-Ti 永磁粉末矯頑力的關鍵。

本研究介紹了一種基於離子束的合成技術，可以精確控制二維材料的組成和能帶結構，並展示了其在製造具有定制光電特性的複雜異質結構方面的潛力。

不同編織結構會顯著影響建築紡織複合材料的單向斷裂韌性，尤其在不同子編織結構的過渡區域，斷裂能會顯著提升。

提出了一種新的尼龍扭轉和纏繞聚合物驅動器(TCPA)的驅動機制:扭轉在至少有兩個相的材料中儲存大量應變能量,當受到刺激時可以釋放為驅動功。

添加製造的純銅電極在高真空和高電場下表現良好,可以成為加速器組件製造的有效候選技術。

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