Effiziente Verarbeitung von Passstörungsfreiem Vertikalem NAND-Speicher über ein dediziertes und stringkompatibles Pass-Gate

Konsep Inti

Ein Dual-Port-Zellendesign wird vorgeschlagen, um Passstörungen im vertikalen NAND-Speicher zu adressieren und störungsfreien Betrieb zu ermöglichen.

Abstrak

In dieser Arbeit wird ein Dual-Port-Zellendesign vorgeschlagen, um Passstörungen im vertikalen NAND-Speicher zu lösen. Die Studie untersucht die Herausforderungen von Single-Port NAND FeFETs und zeigt die Wirksamkeit des Dual-Port-Designs. Es wird gezeigt, wie das Design in hochskalierten vertikalen NAND-Speichern funktioniert und wie es in bestehende Prozesse integriert werden kann. Die Ergebnisse deuten darauf hin, dass das vorgeschlagene Design vielversprechend ist, um eine zuverlässige Speicherung mit hoher Dichte zu ermöglichen.

Einleitung zum vertikalen NAND-Speicher und Herausforderungen
Ursprung der Passstörung und Lösung durch Dual-Port-Design
Experimentelle Validierung des Dual-Port-Designs
Skalierung und Integration des Designs in vertikalen NAND-Speichern

Statistik

In dieser Arbeit schlagen wir ein Dual-Port-Zellendesign vor, um Passstörungen im vertikalen NAND-Speicher zu adressieren.
Die Passstörung kann durch strukturelle Modifikationen in einem Dual-Port-FeFET eliminiert werden.
Die experimentelle Validierung zeigt, dass das Dual-Port-Design eine störungsfreie Passoperation ermöglicht.

Kutipan

"Wir schlagen ein Dual-Port-Zellendesign vor, um Passstörungen im vertikalen NAND-Speicher zu adressieren."
"Die experimentelle Validierung zeigt, dass das Dual-Port-Design eine störungsfreie Passoperation ermöglicht."

Wawasan Utama Disaring Dari

Paving the Way for Pass Disturb Free Vertical NAND Storage via A Dedicated and String-Compatible Pass Gate

by Zijian Zhao,... pada arxiv.org 03-11-2024

https://arxiv.org/pdf/2403.04981.pdf

Pertanyaan yang Lebih Dalam

Wie könnte das Dual-Port-Design die Speicherzuverlässigkeit verbessern?

Das Dual-Port-Design kann die Speicherzuverlässigkeit verbessern, indem es die Pass-Störungen in vertikalen NAND-Speichern reduziert. Durch die Implementierung separater Ports für Schreib-/Lese- und Passvorgänge wird die Möglichkeit von Störungen minimiert. Im Single-Port-Design können hohe Passspannungen zu Störungen führen, insbesondere bei Zellen im hohen Schwellspannungszustand. Das Dual-Port-Design ermöglicht es, die Passstörungen zu eliminieren, indem separate Pfade für verschiedene Operationen bereitgestellt werden. Dies führt zu einer stabileren und zuverlässigeren Speicheroperation insgesamt.

Welche potenziellen Herausforderungen könnten bei der Integration des Dual-Port-Designs auftreten?

Bei der Integration des Dual-Port-Designs könnten potenzielle Herausforderungen auftreten, darunter:

Komplexität der Fertigung: Die Implementierung von separaten Ports erfordert möglicherweise zusätzliche Schritte im Fertigungsprozess, was die Komplexität erhöhen könnte.
Kosten: Die Einführung eines Dual-Port-Designs könnte zu höheren Produktionskosten führen, insbesondere wenn neue Materialien oder Technologien erforderlich sind.
Kompatibilität: Die Integration des Dual-Port-Designs in bestehende Speicherarchitekturen könnte Herausforderungen hinsichtlich der Kompatibilität und Interoperabilität mit vorhandenen Systemen mit sich bringen.
Skalierbarkeit: Die Skalierung des Dual-Port-Designs für den Einsatz in hochdichten Speicheranwendungen könnte technische Herausforderungen mit sich bringen.

Wie könnte die Anwendung des Dual-Port-Designs in anderen Speicherarchitekturen aussehen?

Das Dual-Port-Design könnte in anderen Speicherarchitekturen ähnliche Vorteile bieten, insbesondere in hochdichten und leistungsstarken Speicherlösungen. Zum Beispiel könnte es in 3D-Stacked-Memory-Technologien, nichtflüchtigen Speichern und in der Entwicklung von zukünftigen Speichergeräten wie MRAM oder FeRAM eingesetzt werden. Durch die Implementierung separater Ports für verschiedene Operationen könnte die Speicherzuverlässigkeit verbessert und die Leistung optimiert werden. Die Anwendung des Dual-Port-Designs in anderen Speicherarchitekturen könnte zu innovativen und zuverlässigen Speicherlösungen führen.