Core Concepts
メモリスタデバイスの非線形特性は、ハードウェアセキュリティプリミティブや神経形態コンピューティングシステムの実装に不可欠である。これらの特性は、抵抗、容量、および慣性(仮想誘導)効果の共存に起因する。
Abstract
本研究では、界面型メモリスタデバイスであるAu/BiFeO3/Pt/TiとAu/NbxOy/Al2O3/Nbの非線形特性を調べた。容量効果をモデル化することで、実験データと一致する非ゼロ交差ヒステリシスを再現できることを示した。
周波数の増加に伴い、ヒステリシス範囲の減少と混沌的挙動の増加が観察された。フーリエ解析により、RRAMの動作に大きな影響を及ぼす高調波や周波数成分が明らかになった。さらに、周波数スペクトルをメモリスタデバイスの指紋として活用する手法を提案した。
Stats
酸素空孔のドリフト速度は、正の電圧印加時に増加し、負の電圧印加時に減少する。
BiFeO3層の酸素空孔の活性化エネルギーは、Au電極側で0.55 eV、Pt電極側で0.76 eVの範囲にある。
NbxOy層の酸素イオンの活性化エネルギーは、ほぼ一定の0.76 eVである。
Quotes
"メモリスタデバイスの非線形特性は、ハードウェアセキュリティプリミティブや神経形態コンピューティングシステムの実装に不可欠である。"
"容量効果をモデル化することで、実験データと一致する非ゼロ交差ヒステリシスを再現できることを示した。"
"周波数スペクトルをメモリスタデバイスの指紋として活用する手法を提案した。"