Core Concepts
선형 시스템에서 축소된 양적 변수의 시간 지연 동역학을 유도하고, 이를 TDCI 전자 밀도 행렬 전파에 적용하여 메모리 의존성을 이해한다.
Abstract
이 논문은 선형 시스템에서 고차원 변수를 저차원 변수로 축소할 때 발생하는 시간 지연 동역학을 다룹니다. 이를 시간 의존 구성 상호작용(TDCI) 방법을 통해 전자 밀도 행렬을 계산하는 문제에 적용합니다.
선형 시스템에서 고차원 변수 z(t)를 저차원 변수 y(t)로 축소하는 경우, y(t)의 동역학은 과거 y(s)에 의존하는 시간 지연 선형 방정식으로 표현할 수 있습니다.
TDCI 방법에서 전체 전자 밀도 행렬 P(t)는 Liouville-von Neumann 방정식을 만족하지만, 축소된 1전자 밀도 행렬 Q(t)는 그렇지 않습니다. 대신 Q(t)는 시간 지연 선형 방정식을 따릅니다.
이 논문에서는 Q(t)의 시간 지연 동역학을 유도하고, 이를 통해 Q(t)의 메모리 의존성을 정량적으로 분석합니다. 이는 TDDFT에서 교환-상관 퍼텐셜의 메모리 의존성 이해에 도움이 될 것입니다.
수치 실험 결과, 충분히 큰 시간 지연을 고려하면 제안한 방법으로 계산한 Q(t)가 TDCI 직접 계산 결과와 잘 일치함을 보였습니다. 또한 시간 간격, 기저 함수 집합, 시간 지연 간격 등 다양한 매개변수에 대한 의존성을 분석하였습니다.
Stats
TDCI 방법에서 전체 전자 밀도 행렬 P(t)는 Liouville-von Neumann 방정식을 만족합니다.
축소된 1전자 밀도 행렬 Q(t)의 고유값은 시간에 따라 변하므로, Q(t)는 Liouville-von Neumann 방정식을 만족하지 않습니다.
축소된 1전자 밀도 행렬 Q(t)의 trace는 항상 전자 수 N으로 일정합니다.
Quotes
"축소된 1전자 밀도 행렬 Q(t)는 Liouville-von Neumann 방정식을 만족하지 않습니다."
"축소된 1전자 밀도 행렬 Q(t)의 trace는 항상 전자 수 N으로 일정합니다."