이 연구에서는 갈륨 나이트라이드(GaN) 표면에 마그네슘(Mg) 금속 박막을 증착하고 열처리하여 자발적으로 2차원 Mg 층이 GaN 결정 구조 사이에 삽입되는 현상을 관찰하였다.
Mg 층은 GaN 결정 구조 사이에 정교하게 삽입되어 초격자 구조를 형성한다. 이는 반도체 내부에 2차원 금속이 삽입된 최초의 사례이다.
Mg 층의 삽입으로 인해 GaN 층에 10% 이상의 강한 압축 변형이 발생한다. 이는 박막 재료 중 가장 높은 수준의 변형 중 하나이다.
이러한 강한 압축 변형은 GaN의 전자 밴드 구조를 변화시켜 홀 수송 특성을 크게 향상시킨다.
또한 Mg 층은 GaN 결정 구조의 극성을 주기적으로 변화시켜 분극 전계 유도 전하를 생성한다.
이러한 특성은 반도체 도핑, 전도성 향상, 나노 소재의 탄성 변형 제어, 금속-반도체 초격자 구조 등에 대한 새로운 통찰을 제공한다.
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by Jia Wang,Wen... alle www.nature.com 06-05-2024
https://www.nature.com/articles/s41586-024-07513-xDomande più approfondite