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単層カーボンナノチューブにおける発光欠陥、特に酸素欠陥のクラスタリング現象を、ラマン分光法、PLQY測定、低温単一ナノチューブPL分光法を組み合わせることで認識・定量化できる。

カーボンナノチューブトランジスタの製造におけるリフトオフプロセスは、性能やスケーラビリティに限界があるため、今後の進歩にはVLSI技術と適合するエッチングプロセス開発が不可欠である。

従来のフォトリソグラフィー工程におけるレジスト汚染によるMoS2デバイスの性能低下の問題に対し、金マスクを用いた新規作製法により、清浄な金属-半導体界面を実現し、電気的性能の向上と再現性の確保に成功した。

個別に制御可能な微細スケールOLEDデバイスを実現するために、電極エッジ部の絶縁化によって電界集中を抑制し、均一な電荷注入と再結合を実現した。これにより、高い発光効率と長期安定性を示す微細OLEDピクセルを実現した。

ナノスケールのスピンウェーブを可視化および可聴化することで、新しい計算デバイスの基盤となる現象を体験的に理解できる。

体内での生体イベントの位置を特定する新しい方法である「流れに誘導されたナノスケールの位置情報」について、標準化されたパフォーマンス評価フレームワークが提案されました。

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