核心概念
本文展示了一種基於 InAsOI 的新型超導多路複用器,該器件利用混合超導-半導體架構實現了低損耗、高速的超電流信號路由,為量子計算等低溫電子應用的可擴展性提供了潛在解決方案。
要約
文獻資訊
Alessandro Paghi 等人, "基於固態集成混合超導電子學的超電流多路複用技術", [期刊名稱], [出版日期].
研究目標
本研究旨在開發一種基於固態集成混合超導電子學的超電流多路複用器,以減少低溫電子系統中所需的信號線數量,並提高其可擴展性。
方法
- 研究人員利用 InAsOI 平台製造了具有 Al 超導體和 HfO2 閘極絕緣體的約瑟夫森場效應電晶體 (JoFET)。
- 他們設計並製造了一個 1 進 8 出的模擬解多路複用器,該複用器採用分層架構,並使用多個 JoFET 作為開/關構建塊。
- 研究人員在 50 mK 的低溫下對該解多路複用器進行了直流和交流電學特性測試,以評估其性能。
主要發現
- InAsOI-based JoFETs 能夠完全抑制切換電流,並通過 -4.5 V 的閘極電壓將常態電阻增加 20 倍。
- 超導解多路複用器在 50 mK 下的工作頻率高達 100 MHz,在超導狀態下插入損耗約為 0 dB,在 50Ω 匹配的低溫測量設置中,開/關比率約為 17.5 dB。
主要結論
- 超導多路複用技術可以顯著減少低溫恆溫器中的 I/O 線路、成本和空間佔用,從而實現超導電子學的可擴展性。
- 通過優化微波信號傳輸佈局以最大程度地減少寄生電效應,可以進一步擴展解多路複用器的頻率工作範圍。
意義
這項研究為開發用於量子計算和其他低溫應用的可擴展低溫電子系統提供了一種有前景的方法。
局限性和未來研究
- 未來的工作重點是通過優化器件設計和製造工藝來提高解多路複用器的開/關比率和工作頻率。
- 此外,需要進一步研究將這種技術集成到大型低溫系統中的可行性。
統計
該器件在 50 mK 的溫度下工作。
該器件在超導狀態下的插入損耗約為 0 dB。
該器件在 50Ω 匹配的低溫測量設置中,開/關比率約為 17.5 dB。
該器件的工作頻率高達 100 MHz。
JoFET 的閘極電壓為 -4.5 V 時,可將常態電阻增加 20 倍。