本研究では、MRIにおける高周波磁場(B+1)の不均一性を改善するための新しい手法を提案している。高周波磁場の不均一性は、高磁場MRIにおける重要な課題の1つである。
提案手法では、高誘電率の材料からなる小型の要素を配列し、要素間の接続を切り替えることで、B+1磁場を局所的に変調することができる。シミュレーションでは、最大12.8%の変調が得られ、実験では最大11.6%の変調が確認された。特に心臓領域では4-8%の変調が得られた。
この手法は、複数の送信チャンネルを必要とするパラレル送信法に比べ、安価で簡便な実装が可能である。要素の配置や接続パターンを最適化することで、B+1磁場の局所的な制御が可能となり、高磁場MRIにおける画質改善に寄与できると期待される。今後は、実臨床での有効性検証が課題となる。
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