Si(111)에서 플라즈마 보조 분자선 에피택시로 성장된 크랙 없는 ScxAl1-xN(000¯1) 층

Si(111) 기판에서 고품질의 크랙 없는 ScxAl1-xN 박막을 성장시키기 위해서는 성장 온도 제어가 중요하며, 특히 Sc 함량이 증가할수록 낮은 성장 온도가 요구된다.