CsSnI$_3$における欠陥形成に関する密度汎関数理論と機械学習を用いた研究

本稿では、CsSnI$_3$ペロブスカイト材料におけるp型自己ドーピングを抑制するための、第一原理計算と機械学習を用いた効果的なドーパント元素の特定と、欠陥形成エネルギーと電荷遷移レベルの予測モデルの開発について論じている。