二次粒界転位による偏析エネルギー分布の変化
材料中の粒界に存在する二次粒界転位は、溶質原子の偏析エネルギーに大きな影響を与え、材料の特性を制御するための新たな設計指針となる可能性がある。
ウェイクアップの低減を実現した強誘電体HfO2-ZrO2多層膜
HfO2とZrO2の交互積層により作製した多層薄膜は、ZrO2単層膜では得られない強誘電性を示し、さらに、HfO2単層膜と比較してウェイクアップサイクル数が大幅に減少する。
高温拡散を利用したTi-O系エピタキシャル薄膜の合成と制御
本研究では、レーザー加熱を用いた高温分子線エピタキシー法により、基板からの酸素拡散を利用した新規の酸化チタン薄膜合成法を開発し、従来法よりも高品質で制御性の高いエピタキシャル薄膜成長を実現した。
単結晶 Weyl 酸化物における微小な自発原子変位によって生成されるスピンベリー曲率に起因する単層スピン軌道トルク磁化反転
単結晶 Weyl 酸化物 SrRuO3 の単層において、微小な酸素原子変位によって生じるスピンベリー曲率が、低電流密度でのスピン軌道トルク磁化反転を誘起することを実証した。
単一ユニットセル厚まで強誘電性を示す層状カルピーガネリウム La${2}$Ti${2}$O$_{7}$ 薄膜における分極増強と強誘電性
引張応力を印加することで、カルピーガネリウム相の層状構造を安定化させ、単一ユニットセル厚まで強誘電性を維持したLa${2}$Ti${2}$O$_{7}$ 薄膜の作製に成功した。
炭素インターカレーションされた二次元ハロゲン化物から得られる、半導体性と強磁性を示すランタニドMXenes
本研究では、従来の遷移金属MXenesとは異なり、半導体性と強磁性を示す、新しいランタニドMXenesの合成方法とその特性、メカニズムについて報告している。
Sm$2$Co${17}$型二元および三元Sm-Co-Zr磁石におけるセルラー/ラメラナノ構造の形成
Zr添加と2:17相双晶がSmCo磁石のセルラー/ラメラナノ構造形成に重要な役割を果たすが、高い保磁力を得るにはナノスケールの化学的勾配が不可欠である。
高性能なBaZrS3単結晶オプトエレクトロニクスデバイスのための電気接点の最適化
硫化物ペロブスカイトであるBaZrS3単結晶を用いた高性能オプトエレクトロニクスデバイスを実現するために、表面誘電体層の課題を克服するドライエッチングベースの電気接点製造プロセスが開発された。
マイクロスケール独立型単結晶複合酸化物デバイスアレイを作製するための戦略
本稿では、マイクロスケール独立型単結晶複合酸化物デバイスアレイを作製するための、ウェットケミカルエッチングベースの微細加工プロセスとエピタキシャルリフトオフを組み合わせた汎用的な作製戦略を提示する。
REBCO テープの90度ピールテストによる剥離強度特性評価：銅層の影響に焦点を当てる
REBCO テープの90度ピールテストは、銅層の厚さとRRRの影響を大きく受けるものの、大量のテープの中から剥離強度の低いものを迅速に特定できる有効な品質保証ツールである。
© 2024 by Linnk AI