核心概念
van der Waals 계면 결합을 통해 MoS2의 캐리어 극성을 n형에서 p형으로 재구성할 수 있으며, 이를 기반으로 수직 구조의 보완 논리 회로를 구현할 수 있다.
摘要
이 연구는 2D 반도체 이종 구조를 이용하여 수직 방향으로 보완 논리 회로를 구현하는 방법을 제시한다.
주요 내용은 다음과 같다:
MoS2를 반강자성 절연체인 CrOCl 위에 올려놓으면 van der Waals 계면 결합을 통해 MoS2의 캐리어 극성이 n형에서 p형으로 변화한다.
이를 통해 p형 MoS2 트랜지스터를 구현할 수 있으며, 상온에서 약 425 cm2/Vs의 높은 홀 이동도와 106 이상의 on/off 비율, 1년 이상의 공기 중 안정성을 보인다.
이 접근법을 활용하여 6개의 van der Waals 층으로 구성된 인버터, 14개의 van der Waals 층으로 구성된 NAND 게이트, SRAM 등의 수직 구조 보완 논리 회로를 구현하였다.
이 연구 결과는 다양한 2D 반도체 물질에 적용 가능하며, 향후 2D 논리 게이트 기반의 3D 수직 집적 회로 개발에 기여할 것으로 기대된다.
統計資料
MoS2 트랜지스터의 상온 홀 이동도는 약 425 cm2/Vs에 달한다.
MoS2 트랜지스터의 on/off 비율은 106 이상이다.
MoS2 트랜지스터는 1년 이상 공기 중에서 안정적으로 작동한다.
引述
"van der Waals 계면 결합을 통해 MoS2의 캐리어 극성을 n형에서 p형으로 재구성할 수 있다."
"이 접근법을 활용하여 수직 구조의 보완 논리 회로를 구현할 수 있다."