以有效地處理和分析內容以獲得洞見為目標

本文探討了通過掺雜分數量子反常霍爾絕緣體可以獲得的新型遊離相。重點關注在實驗上觀察到的Jain態在填充因子ν = p/(2p + 1)附近的行為。與最低朗道能級中的情況不同,FQAH絕緣體中的荷電激發具有明確的晶格動量。在有限掺雜密度下,這使得掺雜的任子形成遊離狀態成為可能,從而破壞量子霍爾平台。我們發現在Jain填充附近可以穩定多種新奇的遊離相,包括具有非阿貝爾拓撲序的配對密度波超導體以及具有周期性電荷密度波的費米液體金屬。這些結果為在FQAH設置中可以穩定的異常遊離相提供了一個原理性的證明。