此研究探討了外部磁場方向與六方氮化硼 (hBN) 中 V$_B^-$ 缺陷自旋方向之間的角度 (θ) 對缺陷自旋性質的影響，發現隨著 θ 的增加，V$_B^-$ 缺陷的電子自旋共振 (ODMR) 頻率分裂減小，且自旋相干時間縮短。
