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半導體物理、缺陷物理、氮化鋁鎵、DX 中心、電子順磁共振
在摻雜鍺的 AlGaN 中,EPR 訊號的非輻射猝滅:DX 中心形成的證據
這項研究結合了電子順磁共振(EPR)測量和第一性原理計算,提供了明確的證據,證明在鋁含量超過約 50% 的 AlGaN 中,鍺會形成 DX 中心,並解釋了這種現象對摻雜 AlGaN 電子特性的影響。
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