傾斜柱狀缺陷的極端層狀超導體中的角度選擇性增強渦流篩選

在傾斜柱狀缺陷的極端層狀Bi2Sr2CaCu2O8+δ超導體中,我們發現了兩種角度選擇性增強篩選的機制。一種是在缺陷數少於渦流數時,在接近缺陷方向的角度出現篩選增強;另一種是在缺陷數多於渦流數時,在接近ab平面的對稱角度出現額外的篩選增強。這揭示了傾斜柱狀缺陷即使在傾斜磁場下也能有效地釘扣複合渦流晶格。