原子層におけるイオン支援ナノスケール材料エンジニアリング：組成と形状の独立制御による設計可能なオプトエレクトロニクス特性の実現

イオンビームを用いた新しい合成技術により、二次元遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の組成と形状を独立に制御することで、エネルギー構造をナノスケールで精密に調整し、カスタマイズ可能なオプトエレクトロニクス特性を実現できる。